上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40

kri 考夫曼離子源kdc 40上海伯東代理美國原裝進口 kri 考夫曼離子源kdc 40: 小型低成本直流柵極離子源. kdc 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極.離子源kdc 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積.離子源kdc 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 ma.kri 考夫曼離子源kdc 40 技術(shù)參數(shù)
型號
kdc 40
陽極
dc 直流
陽極功率
100w
*大離子束流
>100ma
電壓
100-1200v
氣體
惰性和反應氣體
進氣流量
2-10sccm
壓力
<0.5m torr
離子光學(自對準)
optibeamtm
離子束直徑
4cm φ max
柵極
鉬和石墨
離子束形狀
聚焦, 平行, 散射
高度
16cm
直徑
9cm
kri 考夫曼離子源kdc 40 應用領(lǐng)域濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 pc輔助鍍膜(光學鍍膜)ibad表面改性, 激活 sm離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) ibsd離子蝕刻 ibe
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