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多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產生劃傷。主要應用于藍寶石襯底的研磨、led芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。氧化硅拋光液氧化硅拋光液（cmp拋光液）是以高純硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（cmp）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化拋劑價格，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，化拋劑哪家好，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，馬鞍山化拋劑，則表面產生高損傷層。
（1）在連續(xù)性的批量化學拋光作業(yè)中，要獲得比較穩(wěn)定的拋光效果，就必須對受熱易分解或消耗量大的溶液組分進行及時的補充和調整。何時補加，多長時間補一次，化拋劑銷售，每次補多少，均要由具體情況（如拋光制件的多少，拋光溶液的組成等）酌情控制。直觀的依據是拋光表面的光亮度變化情況，即依拋光效果來調整。
（2）化學拋光液的酸值一般應穩(wěn)定在1.5~2.5之間。
（3）化學拋光作業(yè)中，拋光溶液中的鐵含量呈累積性的增加。當鐵含量過高時，拋光質量及工效均會相應降低。有文獻指出，補加一些易損耗組分后，若溶液的拋光效果還不能明顯改善時，即可認為該溶液中的鐵含量過高。這時就應該棄舊換新了。比較成熟的經驗，是拋光溶液中鐵的含量不得高于35g/l
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