KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。
北京某大學(xué)實驗室在對硬韌 zraln 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東kri考夫曼射頻離子源rfcip220 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 si 上沉積不同 al 含量的zraln 薄膜.
伯東kri射頻離子源rficp220技術(shù)參數(shù):
離子源型號
rficp220
discharge
rficp射頻
離子束流
>800 ma
離子動能
100-1200 v
柵直徑
20 cm φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型壓力
< 0.5m torr
長度
30 cm
直徑
41 cm
中和器
lfn 2000
*可選:燈絲中和器;可變長度的增量
試驗中, 采用伯東kri考夫曼射頻離子源rfcip220輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 zraln 薄膜, 好的對 zraln 薄膜進行研究.
kri離子源的特功能實現(xiàn)了好的性能,增強的性和新穎的材料工藝.kri離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性,而這些特性在不使用kri離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
因此, 該研究項目才采用kri考夫曼射頻離子源rfcip220輔助濺射沉積工藝.
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